Si深堀エッチング技術の採用でオン抵抗を半減、ロームがパワーMOSFETの新製品を発表

[EDN Japan]

　ロームは2011年9月、オン抵抗が定格で34mΩと小さいパワーMOSFET「R5050DNZ0C9」を発表した。主に、太陽光発電システムのパワーコンディショナの用途に向ける。同月中旬から、単価1000円でサンプル出荷を開始する。量産開始は同年12月を予定している。

　R5050DNZ0C9では、新たな製造プロセスを採用することにより、従来品と比べてオン抵抗（定格値）が約47％小さい34mΩに削減されている。従来品は、多層エピタキシャル成長方式を用いた製造プロセスによって、縦型のpn接合を複数並べるスーパージャンクション構造を採用していた。この場合、製造工程が複雑であるため、さらなる微細化や生産性の向上が困難という課題があった。新製品のR5050DNZ0C9は、縦型p層を一気に形成するシリコン（Si）深堀エッチング技術を採用した。これにより、微細化および不純物濃度の最適化を進められたので、大幅なオン抵抗の低減を実現できたという。

　主な仕様は以下の通り。耐圧は500Vで、電流容量は50A。オン抵抗の最大値は45mΩである。総ゲート電荷量（定格値）は80nC。パッケージは、放熱性の高いTO-247PLUSを採用している。

　なお、ロームは、「CEATEC JAPAN 2011」（2011年10月4日〜8日、幕張メッセ）において、R5050DNZ0C9を展示する予定だ。