定格600VのパワーMOSFET、SJ構造採用でオン抵抗を従来比70％削減：富士電機 Super J-MOSシリーズ

富士電機のパワーMOSFET「Super J-MOSシリーズ」は、同社従来品と比べてオン抵抗を70％削減している。

[EDN Japan]

　富士電機は2011年12月、同社従来品と比べてオン抵抗を70％削減した低損失のパワーMOSFET「Super J-MOSシリーズ」を発売した。主な用途は、サーバや無停電電源装置、放送機器、新エネルギー分野向け電力変換装置など。定格電流が異なる4つの品種のうち、20A品のサンプル出荷および量産は、既に開始している。残る30A品、47A品、68A品のサンプル出荷は、2012年初頭から順次、量産は2012年4月に始める予定である。

　Super J-MOSシリーズは、新たに開発したSJ（Super Junction）構造で低オン抵抗を実現した。同社として、SJを採用するのは今回初。プレーナー構造を採用していた同社従来品に比べて、前述の通り、オン抵抗を70％削減した。具体的には、オン抵抗は20A品が0.19Ω、30A品が0.125Ω、47A品が0.07Ω、68A品が0.04Ωである。定格電圧はいずれも600Vである。

　現在、IT分野や新エネルギー分野などで電力変換の効率化を実現するパワー半導体に注目が集まっている。この中でもMOSFETは、「電力変換に仕様される主力デバイスとして、今まで以上の損失削減が求められている」（同社）という。