待望の次世代パワー半導体、SiC/GaNデバイスは離陸間近：電子ブックレット（EDN）

[EDN Japan]

→「電子ブックレット（EDN）」一覧

待望の次世代パワー半導体、SiC/GaNデバイスは離陸間近

　アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「＠IT MONOist」「EE Times Japan」「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。本日はEDN Japanの人気記事「待望の次世代パワー半導体、SiC/GaNデバイスは離陸間近」をお届けします。

---

待望の次世代パワー半導体、SiC/GaNデバイスは離陸間近

シリコン材料をベースとするパワー半導体と比べて、高速かつ低損失で動作する特性を備えているのが、SiCやGaNなどのワイドギャップ材料を用いた次世代のパワー半導体である。これまで、高いコストや歩留まりの低さなどによって、SiC/GaNデバイスの量産はなかなか立ち上がらなかった。しかし、2010年以降、複数のメーカーによる量産化の取り組みが加速している。

電子ブックレットのダウンロードはこちら→待望の次世代パワー半導体、SiC/GaNデバイスは離陸間近

・電子ブックレットはPDFファイルで作成されています。
・電子ブックレットは無償でのご提供となりますが、アイティメディアIDへの登録が必要となります。登録ユーザーではない場合や、登録済みのプロファイルに一部不足がある場合などは、ダウンロードリンクをクリックすると登録画面へジャンプします。
・電子ブックレット内の記事は、基本的に記事掲載時点の情報で記述されています。そのため一部時制や固有名詞などが現状にそぐわない可能性がございますので、ご了承ください。