高速スイッチングに対応した650V耐圧IGBT：STマイクロ HB2シリーズ

STマイクロエレクトロニクスは、同社の「トレンチフィールドストップ（TFS）技術」を活用した、650V耐圧IGBT「HB2」シリーズを発表した。低ゲート電流での高速スイッチングを可能にしている。

[EDN Japan]

　STマイクロエレクトロニクスは2019年4月、同社の「トレンチフィールドストップ（TFS）技術」を活用した、650V耐圧IGBT「HB2」シリーズを発表した。シリーズ第1弾となる定格40Aの「STGWA40HP65FB2」は、TO-247パッケージ（ロングリード）で提供され、1000個購入時の単価は約2.95米ドル。

650V耐圧IGBT「HB2」シリーズのイメージ

低ゲート電流での高速スイッチングが可能

　HB2シリーズは、16k〜60kHzのスイッチング周波数で動作するアプリケーション向けに最適化され、AEC-Q101 Rev. D規格準拠の車載用製品も含まれる。コレクタ−エミッタ間飽和電圧（V_CE（sat））は1.55Vと低く、ゲート電荷を低減することで動特性が向上し、低ゲート電流での高速スイッチングが可能になった。

　同一パッケージに、全定格ダイオード、半定格ダイオード、保護ダイオードを逆並列で内蔵し、IGBT部への偶発的な逆バイアスを防止できる。

　同社は、主な用途として、PFCコンバーター、溶接機、無停電電源装置（UPS）、太陽光発電システム用インバーターなどでの利用を見込む。