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650Vの高電圧高効率GaN FET：Nexperia GAN063-650WSA
Nexperiaは、650Vの高電圧高効率GaN FET「GAN063-650WSA」を発表した。量産に対応する高い拡張性を備え、堅牢で、低オン抵抗および高速スイッチング特性を有する。
Nexperiaは2019年11月、650Vの高電圧高効率GaN（窒化ガリウム）FET（電界効果トランジスタ）「GAN063-650WSA」を発表した。量産に対応する高い拡張性を備え、堅牢で、低オン抵抗および高速スイッチング特性を有する。
量産に対する拡張性が高く、堅牢なデバイス
GAN063-650WSAは、ゲートソース電圧±20V、動作温度範囲−55〜＋175℃の堅牢なデバイスだ。TO-247パッケージで提供する。ドレイン−ソース間オン抵抗が60mΩと低く、高速スイッチング特性を有する。
同社のGaN-on-Si（ケイ素）プロセスにより製造され、既存のシリコン製造設備におけるウエハー加工が可能なため、量産に対する拡張性が高い。
電動自動車のほか、データセンター、情報通信インフラ、産業オートメーション、ハイエンド電源など、高性能アプリケーション領域に活用できる。
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