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2kW以上に対応する第4世代のパワーMOSFETビシェイ SiHP054N65E

ビシェイ・インターテクノロジーは、第4世代となる「650 V E」シリーズのパワーMOSFET「SiHP054N65E」を発表した。標準オン抵抗が10Vで0.051Ωと低く、2kW以上のアプリケーションに適する。

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 ビシェイ・インターテクノロジーは2023年8月、第4世代となる「650 V E」シリーズのパワーMOSFET「SiHP054N65E」を発表した。既にサンプル品と製品を提供していて、サーバやエッジコンピューティング、データストレージ、UPS(無停電電源装置)などの用途に適する。

第4世代パワーMOSFET「SiHP054N65E」
第4世代パワーMOSFET「SiHP054N65E」 出所:ビシェイ・インターテクノロジー

0.051Ωの低い標準オン抵抗

 標準オン抵抗が10Vで0.051Ωと低く、2kW以上のアプリケーションに適する。ゲート電荷は72nC。同社の前世代品に比べ、オン抵抗は48.2%、オン抵抗とゲート電荷の積(FOM)は59%低減している。

 テレコム電源用途におけるピーク効率は96%。実効容量(エネルギー換算)は115pF、実効容量(時間換算)は772pFとなる。オン抵抗と実効容量(エネルギー換算)の積のFOMは5.87ΩpFだ。

 TO-220ABパッケージで提供され、RoHSに準拠したハロゲンフリー品となる。同社の「グリーン標準」にも適合し、アバランシェモードで過渡過電圧に耐えるように設計されている。

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