電力損失を約15％削減 産業用LV100タイプ1.2kV IGBTモジュール：三菱電機 CM1800DW-24ME

三菱電機は、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システム向け産業用LV100タイプ1.2kV IGBTモジュール「CM1800DW-24ME」のサンプル提供を開始すると発表した。

[EDN Japan]

　三菱電機は2025年1月、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システム向け産業用LV100タイプ1.2kV IGBTモジュール「CM1800DW-24ME」のサンプル提供を2月15日に開始すると発表した。太陽光発電システムや蓄電池など電源システムのインバーターの低消費電力化、高出力化に貢献する。

産業用LV100タイプ1.2kV IGBTモジュール「CM1800DW-24ME」 出所：三菱電機

電力損失を約15％削減

　三菱電機は、独自のSDA（Split Dummy Active）構造やCPL（Controlling carrier Plasma Layer）構造を採用した第8世代IGBTを開発し、本製品に採用した。

　SDAは、ゲートのダミートレンチを上下2段に分割することでゲート容量を最適化した構造だ。ノイズ発生の要因となるdv/dtを抑制し、第7世代IGBTと比較してスイッチング速度が上昇した。

　CPLは、チップの裏面に深いn層を形成することでダイナミック動作時のキャリア制御を行う構造だ。IGBTの破壊につながるターンオフ時の過電圧を抑制し、IGBTチップの薄厚化が図れる。

　第8世代IGBTを搭載することで、第7世代IGBTを搭載している従来品「CM1200DW-24T」と比べて、電力損失を約15％削減。IGBTとダイオードのチップ配置の最適化によって、従来品と同一のパッケージで1.5倍の定格電流1800Aを達成し、インバーターを高出力化できる。

　パワー半導体の並列接続が容易となる産業用LV100タイプパッケージ（100×140×40mm）を採用し、多様なインバーター構成に対応。外形サイズと端子位置が共通する従来品との置き換えが容易で、インバーターの開発期間を短縮できる。