【問題】GaNパワートランジスタの特長は？：クイズで学ぶ！ 半導体の基礎知識（1/2 ページ）

EDN Japanの記事からクイズを出題！　半導体／エレクトロニクス技術の知識を楽しく増やしていきましょう。今回の問題は「GaNパワートランジスタの特長」についてです。

[EDN Japan]

　EDN Japanの記事からクイズを出題！　半導体／エレクトロニクス技術の知識を楽しく増やしていきましょう。

　パワー半導体では、主流のシリコン（Si）パワー半導体（Si-IGBTやSi-MOSFET）の性能向上に限界が見え始めている中で、物性値そのものがSiを大きく上回る化合物半導体に注目が集まっています。

　その代表格の1つが窒化ガリウム（GaN）で、バンドギャップ、絶縁破壊電界、電子移動度、飽和電子速度の全てでSiを上回り、高耐圧かつ低オン抵抗化、高速スイッチングが実現できると期待されています。

　それでは、GaNパワー半導体の基礎知識について、クイズで確認してみましょう。

問題

　GaNパワー半導体で実用化が進んでいるのは、AlGaN（窒化アルミニウムガリウム）／GaNのヘテロ構造をSi基板上に形成する「横型」です。

　下記はAlGaN／GaN構造のGaNパワートランジスタの特長です。A〜Fに当てはまる言葉を、選択肢から選んでください。

• 低ゲート入力電荷（低Qg）、低出力容量（Co）で、［ A ］が可能
• ［ B ］がゲート部のPN接合で決まり、温度依存性が極めて小さい
• オン抵抗は正の［ C ］をとる
• ドレイン／ソース間にPN接合がないため［ D ］がゼロ
• 電流経路が横型なため［ E ］が小さく、熱耐性が極めて小さい
• しきい値電圧が1V程度で、［ F ］などによる誤動作防止に注意が必要

選択肢

1．しきい値電圧

2．温度依存性

3．高速スイッチング

4．リカバリー電荷

5．ノイズ

6．体積熱容量

※［解答の閲覧］には、会員登録（無料） およびログインが必要になります。