ECCを搭載したSLCタイプNANDフラッシュ、4Gビット品と8Gビット品を用意：東芝 BENAND

東芝の「BENAND」は、ECC回路を搭載するSLCタイプのNAND型フラッシュメモリ製品である。ECC回路の訂正能力は、512バイト当たり4ビットとなっている。

[EDN Japan]

　東芝は2012年1月、エラー訂正符号（ECC：Error Correction Code）回路を搭載する2値技術（SLC：Single Level Cell）を用いたNAND型フラッシュメモリ製品「BENAND（Built-in ECC NAND）」を発表した。記憶容量は4Gビットと8Gビットで、入出力インタフェースや電源電圧、パッケージが異なる8品種をそろえた。薄型テレビやデジタルカメラなどの民生用機器や産業用ロボットなどの産業用機器をはじめ、広範な組み込み機器の用途に向ける。1月6日からサンプル出荷を開始する。サンプル価格は4Gビット品が600円、8Gビット品が1000円。量産は4Gビット品を3月に、8Gビット品を2012年第2四半期に始める予定だ。

　BENANDは、32nmプロセスで製造したSLCタイプのNAND型フラッシュメモリと、512バイト当たり4ビットの訂正能力を持ったECC回路を1パッケージに統合した製品である。32nmより微細化世代が前のプロセスで製造されたSLCタイプのNAND型フラッシュメモリを電子機器に搭載する場合、512バイト当たり1ビットの訂正能力を持ったECC専用ICを別途用意することが多かった。しかし、32nm以降の微細プロセスで製造するNAND型フラッシュメモリでは、「512バイト当たり4ビット以上の訂正能力を持ったECCが必要になる」（同社）という。つまり、32nmプロセスで製造したSLCタイプNAND型フラッシュメモリの顧客は、訂正能力を高めたECC専用ICを新たに用意しなければならないわけだ。

　そこでBENANDは、従来は外付けしていたECC ICについて、訂正能力を512バイト当たり4ビットに高めるとともに、NAND型フラッシュメモリと1パッケージに統合した。これにより、新たなECC専用ICを追加することなく、最先端のNAND型フラッシュメモリを用いた機器設計が可能になる。また、BENANDのパッケージや端子配置は、一般的なSLCタイプNAND型フラッシュメモリとの互換性を有しているので、従来品からの置き換えも容易である。

　なお東芝は、2012年夏以降に24nmプロセスで製造したBENANDの新製品を投入する計画である。