LTE基地局向け高利得/高線形性パワーアンプ、利得は33.4dB：アバゴ MGA-43128

アバゴ・テクノロジーの「MGA-43128」は、同社独自の0.25μm p型HEMTプロセスを採用することで、高利得と高線形性を実現した。利得は33.4dB、変調精度（EVM）が2.5％のときの線形出力は29.1dBmである。

[EDN Japan]

　アバゴ・テクノロジーは2012年1月、LTE（Long Term Evolution）方式の携帯電話基地局向けに高利得/高線形性を備えたパワーアンプ（PA）「MGA-43128」を発表した。対応周波数帯域は700M〜800MHz。LTE基地局のドライバアンプとして使える他、LTEアクセスポイントやCPE（宅内装置）、ピコセル機器などに向ける。既にサンプル出荷および量産を開始している。

　MGA-43128は、GaAs（ガリウムひ素）材料を使った同社独自の0.25μm p型HEMT（高電子移動度トランジスタ）プロセスを採用することで、高利得と高線形性を実現した。利得は33.4dB、変調精度（EVM）が2.5％のときの線形出力は29.1dBm、線形出力時の電力付加効率（PAE）は22％である（750MHzのとき）。

　同社は、線形出力が29dBm程度と高いことを特徴としたPA製品として、2300M〜2500MHz帯に対応した「MGA-43228」と、2500M〜2700MHz帯に対応した「MGA-43328」を用意していた。今回、700M〜800MHz帯のPAを追加したことで、より幅広い周波数帯域をカバーできるようになった。

　その他の仕様は以下の通り。高周波（RF）入力は50Ωに整合されている。出力部には外部整合回路が簡素化できるように、幾つかの高周波部品を集積した。減衰度が最大18.0dBのバイパススイッチ制御アッテネータや、温度補償電力検波器も搭載している。パッケージは外形寸法が5.0×5.0×0.85mmの28端子QFN。動作温度範囲は−40〜85℃で、電源電圧は5Vである。