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耐圧30VのpチャネルMOSFET、外形寸法が1.0×1.5mmの製品も:Vishay Si8497DB/Si8487DB
Vishayが発表した耐圧30VのpチャネルMOSFETは、小型パッケージと低オン抵抗を特徴としている。
Vishay Intertechnologyは2012年3月、耐圧30VのpチャネルパワーMOSFET「Si8497DB」と「Si8487DB」を発表した。スマートフォンやタブレット端末、POS(Point of Sales)端末、ノートPCなどのロードスイッチやバッテリスイッチの用途に向ける。サンプル出荷、量産出荷とも既に開始している。
Si8497DB/Si8487DBは、いずれもVishay独自の技術である「TrenchFET Gen III」を適用している。同技術は、1平方インチ(6.45cm2)当たり10億個のトランジスタをシリコンチップ上に集積するもので、チップ面積やオン抵抗の低減に貢献するとしている。
Si8497DBは、外形寸法が1.0×1.5mmという小型パッケージを採用した。高さは最大で0.59mm。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が4.5Vのときに53mΩ、同2.5Vのときに71mΩ、同2.0Vのときに120mΩである(いずれも最大値)。
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