IR、「GaN on Si」によるパワーデバイスの商用出荷開始を発表：IR パワーデバイス

インターナショナル・レクティファイアーは2013年5月13日、シリコン上に形成したGaN（窒化ガリウム）によるパワーデバイスを搭載した機器の商用出荷が初めて開始されたと発表した。

[EDN Japan]

　インターナショナル・レクティファイアー（以下、IR）は2013年5月13日、同社が製造したシリコン上に形成したGaN（窒化ガリウム）によるパワーデバイスを搭載した機器の商用出荷が初めて開始されたと発表した。搭載第1弾製品は、民生用電子機器メーカーが製造するホームシアターシステムとしている。

シリコン上に形成したGaN（窒化ガリウム）デバイスの検査の様子

　IRは10年ほど前から、シリコン基板上にGaNを形成する「GaN on Siエピタキシャル技術」の開発を進めてきた。今回、採用されたデバイスは、スイッチングデバイスでホームシアターシステムの電源部分に使用されているという。150mmウエハーを用いて製造したほか、後工程に関しては、従来のシリコンデバイスと完全に互換性のある製造設備で実施したとしている。

　IRのCEO（最高経営責任者）兼社長のOleg Khaykin氏は、「当社の最先端のGaNベースの技術プラットフォームおよびIP（知的財産権）ポートフォリオに基づいた商用ベースの出荷開始は、顧客の省エネに貢献するという当社の中核となる使命に従って、パワー半導体デバイスにおける当社のリーダーシップを強化し、電力変換の新時代の到来を告げるもの。電力変換市場へのGaNベース技術の潜在的なインパクトは、当社が約30年以上前に製品化した『HEXFETパワーMOSFET』に匹敵する大きなものであると確信している」とコメントしている。