東芝、第2世代19nmプロセス採用組み込み向けNANDを発表：東芝 組み込み用NANDメモリ

東芝は、スマートフォンなどのモバイル機器への組み込み用途向けNAND型フラッシュメモリとして、同社最新の第2世代19nm製造プロセスを用いた製品「THGBMBG8D4KBAIR」（32Gバイト容量）と「THGBMBG7D2KBAIL」（16Gバイト容量）を2013年11月下旬から量産すると発表した。

[EDN Japan]

　東芝は2013年10月31日、スマートフォンなどのモバイル機器への組み込み用途向けNAND型フラッシュメモリとして、同社最新の第2世代19nm製造プロセス（関連記事：東芝、19nmプロセスを改良し「世界最小」の64Gbit容量品を発売）を用いた製品「THGBMBG8D4KBAIR」（32Gバイト容量）と「THGBMBG7D2KBAIL」（16Gバイト容量）を2013年11月下旬から量産すると発表した。

第2世代19nm製造プロセスを採用した新製品

　新製品は、2013年9月にJEDECが策定した組み込み式NAND型フラッシュメモリembedded MMC標準規格「e・MMC Version 5.0」に準拠し、コントローラチップを一体化した制御機能付の組み込み式NANDメモリとなっている。

　第2世代19nm製造プロセスの採用により、第1世代19nm製造プロセスを採用した従来品に比べ、実装サイズを22％小型化したという。新規高速インタフェース規格「HS400」の適用、コントローラの処理能力向上、書き込み処理の最適化などにより、従来品に比べて読み出し速度が64％、書き込み速度が33Gバイト品で38％、16Gバイト品で25％、高速化したとする。

　東芝は、4Gバイト、8Gバイト、64Gバイト、128Gバイトの容量品についても「順次量産を行う予定」としている。