東芝、19nmプロセスを改良し「世界最小」の64Gbit容量品を発売：東芝 NANDメモリ

東芝は、改良版19nmプロセスを用いて「世界最小」という64Gbit容量の2ビット/セル構造NAND型フラッシュメモリを2013年5月から量産すると発表した。改良版19nmプロセスは、従来プロセスと最小線幅は同じだが、最大線幅を19nmに近づけた。

[EDN Japan]

　東芝は2013年5月21日、19nm半導体製造プロセスを改良した「19nm第2世代プロセス」を用いて1セル当たり2bitのデータを格納する2ビット/セル構造のNAND型フラッシュメモリの64Gbit容量品を開発し、5月から量産すると発表した。

19nm第2世代プロセスを用いたNANDメモリ

　従来、東芝がNANDメモリに適用していた19nmプロセスでは垂直方向、水平方向のいずれかの線幅が19nmで、残るもう一方の線幅が26nmとなっていた。今回、新製品に適用した19nm第2世代プロセスは、最小線幅19nmは変わらないが、もう一方向の線幅を19.5nmに縮小させたという。

　新製品は、19nm第2世代プロセスの適用と周辺回路の工夫により、2ビット/セル構造のNANDメモリの64Gbit容量品として「世界最小」（同社）とする94mm²のチップサイズを達成したという。加えて、東芝独自の高速書き込み方式により毎秒25MBの書き込み速度を実現した。同社では2ビット/セルのNANDメモリとして「世界最速クラス」としている。

　東芝では、19nm第2世代プロセスを採用した1セルあたり3ビットのデータを格納する3ビット/セル構造の製品開発も行い「2013年7−9月中に量産を開始する予定」としている。さらに、eMMC対応のコントローラを新開発することで、スマートフォンやタブレットなどにもTLC製品を展開するほか、SSDへの適用も今後進めていくとしている。