電力損失を5％低減、IRジャパンのパワーブロック：IR IRFHE4250D

インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）の「IRFHE4250D」は、パワーMOSFET「FastIRFET」を2個内蔵した定格電流60A、耐圧25Vのパワーブロックである。従来品に比べて25Aでの電力損失を少なくても5％低減することができる。

[EDN Japan]

　インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）は2014年8月、パワーMOSFET「FastIRFET」を2個内蔵した定格電流60A、耐圧25Vのパワーブロック「IRFHE4250D」を発表した。従来品に比べて25Aでの電力損失を少なくても5％低減することができる。通信/ネットワーク機器、グラフィックスカード、各種PCなどのDC-DC変換用途に向ける。

　IRFHE4250Dは、導通損失を減らすためにオン抵抗（ゲート-ソース間電圧4.5V時）が最大1.35mΩと小さい同期整流用FastIRFETと、スイッチング損失を減らすためにゲート電荷が13nCと小さい制御用FastIRFETの、2個のFastIRFETを搭載している。IRFHE4250Dのパッケージは、外形寸法が6×6mmと小さく、高さも最大0.75mmに抑えたPQFNを採用している。このため、プリント基板の裏面への実装も容易だ。また、パッケージの表面が露出した構造となっており、熱特性にも優れている。

IRFHE4250Dの外観

　IRFHE4250Dは、耐湿性レベルは2（MSL2）に対応、欧州規制RoHSに準拠している。参考価格は1000個購入時の単価が1.44米ドルより。