ESD保護性能を20％以上改善、低容量のセラミックESD保護デバイス：村田製作所 LXES03AAA1-154他

村田製作所は、放電ギャップ方式のセラミックESD（Electrostatic Discharge）保護デバイスを製品化した。従来製品に比べて、ESD保護性能を20％以上改善している。

[EDN Japan]

　村田製作所は2015年2月、放電ギャップ方式のセラミックESD（Electrostatic Discharge）保護デバイスを製品化した。従来製品に比べて、ESD保護性能を20％以上改善している。Wi-FiやLTEなどのアンテナ端子や、USB、HDMIなどの高速信号ライン、タッチパネルなどの外部インタフェース、およびオーディオラインといった用途に向ける。

　新製品は、外形寸法が0603サイズの「LXES03AAA1-154」と、1005サイズの「LXES15AAA1-153」の2製品がある。新製品は構造と材料を見直すとともに、独自の放電部設計技術とセラミック多層技術を組み合わせることで、低電圧でのESD保護動作（IEC61000-4-2 レベル1）と、EDSの繰り返し印加に対する絶縁耐性の両立を可能とした。さらに、ESD保護性能は従来製品に比べて20％以上も改善した。しかも、0.05pFという低容量で、シリコンTVS（Transient Voltage Suppressor）方式と同等レベルのESD保護性能を実現している。

セラミックESD保護デバイスの外観

　放電ギャップ方式のESD保護デバイスは、放電部である電極間のギャップを狭くすることで、低電圧でESD保護動作を行うことが可能となる。しかし、狭ギャップになると高い電圧が繰り返し印加された場合、絶縁耐性が低下するといった課題を抱えていた。