GaNに対する疑念を晴らす：電子ブックレット（EDN）

EDN Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、シリコンの限界を超えて設計を深化させることが可能なGaNパワートランジスタの本当の利点を引き出すために必要なことを解説します。

[EDN Japan]

GaNに対する疑念を晴らす

　アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「MONOist」「EE Times Japan」「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、シリコンの限界を超えて設計を深化させることが可能なGaNパワートランジスタについて解説します。

GaNに対する疑念を晴らす

新しいMOSFET技術が登場すると、ユーザーは新しいデバイスを接続してどの程度効率が改善されたかを測定します。多くの人が既存の設計のMOSFETをGaNに置き換える際にもこれと同じ方法を使ってしまい、性能の測定結果に失望してきました。GaNの本当の利点を引き出すには、通常、システム設計を変更しなければなりません。GaNを既存のMOSFET技術に対する完全な互換品（ドロップイン置換品）と見なすのではなく、さらなる高密度・高効率設計を実現する手段と捉えるべきです。【著：Adam Vasicek, Alexander James Young（ON Semiconductor）】

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