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Rフライバック方式に対応した耐圧700VのMOSFET：インフィニオン 700V CoolMOS P7ファミリー
インフィニオンテクノロジーズは2017年1月、疑似共振（QR）フライバック方式に対応する、耐圧700VのパワーMOSFET「700V CoolMOS P7」ファミリーを発表した。
従来品より2.4％の効率向上
インフィニオンテクノロジーズは2017年1月、疑似共振（QR）フライバック方式に対応する、耐圧700VのパワーMOSFET「700V CoolMOS P7」ファミリーを発表した。同社のNチャネルパワーMOSFET「CoolMOS」の新シリーズとなる。
従来製品に比べてスイッチング損失（EOSS）を27〜50％低減し、スマートフォンやタブレット用充電器、ノートPCのアダプターなど、ソフトスイッチング方式で強みを発揮する。フライバック方式の充電器に使用した場合、効率が最大3.9％向上し、デバイス温度を最大16℃抑えることができる。同社従来の耐圧650V製品に比べ、2.4％の効率向上と12℃の温度低下が可能になるという。
またツェナーダイオードを内蔵し、ESD（静電気放電）耐性をHBM（人体モデル）クラス2まで高めた。RDSON×QGおよびRDSON×EOSSによる性能指標（FOM）が低いため、損失を低く抑えることが可能。ゲートしきい値電圧（VGSth）は3V、許容誤差は±0.5Vで開発され、より低いゲートソース電圧を使用できる。
360〜1400mΩ品を現在、IPAK SL／DPAK／TO-220FPパッケージで提供している。
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