ニュース
SJ構造のパワーMOSFETにSOT-223パッケージを追加:インフィニオン CoolMOS P7
インフィニオンテクノロジーズは、スーパージャンクション(SJ)構造を採用したパワーMOSFET「CoolMOS P7」シリーズに、SOT-223パッケージを追加した。基板上のDPAKの設置形状と互換性があるため、DPAKをそのまま置き換えることができる。
DPAKとの置き換えが可能
インフィニオンテクノロジーズは2017年8月、スーパージャンクション(SJ)構造を採用したパワーMOSFET「CoolMOS P7」シリーズに、SOT-223パッケージを追加したと発表した。600V、700V、800V製品を現在提供中で、700V、800VのRDS(on)バージョンも近々提供する。
SOT-223は、基板上のDPAKの設置形状と互換性があるため、DPAKをそのまま置き換えることが可能だ。標準的なDPAKに比べて温度は最大2〜3℃上昇するが、20mm2またはそれ以上のフットプリントを持つことで、DPAKと同等の熱性能を得ることができる。
スイッチモード電源(SMPS)市場のニューズに対応し、スマートフォン用充電器やラップトップPC用アダプター、TV用電源、照明などでの用途を見込む。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
- 高速リカバリーダイオード内蔵のパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、高速リカバリーダイオードを内蔵したスーパージャンクション型パワーMOSFET「MDmesh DK5」シリーズを発表した。さまざまな電力変換トポロジーの効率を最大化する。 - MOSFETの実効容量値を簡単に求める術
MOSFETのデータシートには、1つの測定電圧での出力静電容量値が記載されています。この値は、従来のプレーナ型MOSFETには有効でしたが、スーパージャンクションなど複雑な構造を用いる最新のMOSFETの評価には適していません。本稿では、最新のMOSFETの評価に有効な実効容量値を、より簡単に求める方法を探っていきます。 - 5×6mm両面放熱PKGに封止した車載パワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスが、車載用モータ制御アプリケーション、バッテリー逆接続防止、高性能電源スイッチングに適した40V耐圧パワーMOSFET「STLD200N4F6AG」と「STLD125N4F6AG」を発表した。STLD200N4F6AGとSTLD125N4F6AGは、車載用電子制御ユニット(ECU)の電力密度を高める両面放熱パッケージに封止されている。 - 電池動作機器の電源オンを確実にする
2個のトランジスタによるラッチが、電源オンの押しボタンスイッチとして動作する回路を紹介する。これによって、電池で動作する携帯機器の電源オンが確実になる。 - 4.5Vロジックレベル駆動に対応したパワーMOSFET
東芝ストレージ&デバイスソリューションは2017年1月、100V耐圧で4.5Vのロジックレベル駆動に対応したNチャンネルパワーMOSFET「TPH6R30ANL」「TPH4R10ANL」を発表した。高速充電器やスイッチング電源、通信インフラ用のDC-DCコンバーターに活用できる。 - pチャンネルパワーMOSFETの駆動回路