ニュース
車載、高電圧回路向け80V抵抗内蔵トランジスタ:ネクスペリア NHDTx、NHUMxシリーズ
ネクスペリアは、48V車載システムや高電圧バス回路向けに、80V抵抗内蔵トランジスタ「NHDTx」「NHUMx」シリーズ42製品を発表した。従来の50V製品と同等のバイアス抵抗を採用しつつ、大きなスパイクやパルスにも対応できる。
ネクスペリアは2021年1月、48V車載システムや高電圧バス回路向けに、80V抵抗内蔵トランジスタ(RET)「NHDTx」「NHUMx」シリーズ42製品を発表した。既に量産を開始している。
ダブルRETもラインアップ
NHDTxシリーズは、PNPまたはNPN型トランジスタを内蔵し、2.9×1.3×1mmのSOT23パッケージ、または2×1.25×0.95mmのSOT323で提供する。なお、全許容損失(Ptot)は、SOT23が250mW、SOT323が235mWだ。
NHUMxシリーズは、2つのトランジスタを内蔵したダブルRETで、Ptotは350mW。2.1×1.25×0.95mmのSOT363パッケージで提供する。
いずれもトランジスタとバイアス抵抗、バイアスエミッタ抵抗を組み合わせているため、回路設計の簡素化、プリント基板上の実装面積の削減、ピックアンドプレース時間の短縮、製造コストの削減に貢献する。最大電流は100mAで、車載規格AEC-Q101に準拠する。
従来の50V製品と同等のバイアス抵抗を採用しつつ、大きなスパイクやパルスにも対応できる。マイルドハイブリッド車や電気自動車向けの48V車載ボードネットのほか、汎用スイッチや増幅システムにも適している。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
- −40V、−60V耐圧の低オン抵抗Pch MOSFET
ロームは、産業機器や大型民生機器向けに、24V入力対応の−40Vおよび−60V耐圧Pチャンネル(Pch) MOSFETのシングル品および、デュアル品計24製品を開発した。オン抵抗は、−40V耐圧品で同社従来品比62%減、−60V耐圧品で同52%減となっている。 - 1200V対応、自然冷却のパワーMOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、SiCパワーMOSFETファミリー「CoolSiC MOSFET」に1200V用に最適化された新製品を追加した。自然空冷を可能にしたことで冷却ファンや関連設備を不要とし、損失も従来比で最大80%削減できる。 - 4端子構成パッケージのSiC-MOSFET
三菱電機は、「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ TO-247-4パッケージ」6品種のサンプル提供を2020年11月に開始する。4端子パッケージ採用により、従来品と比較してスイッチング損失を約30%低減した。 - 実装信頼性の高い1010サイズの車載向けMOSFET
ロームは、車載規格AEC-Q101に準拠した超小型MOSFET「RV8C010UN」「RV8L002SN」「BSS84X」を発表した。はんだの実装信頼性が高く、小型化と高放熱化を両立しており、車載ECUやADASに適している。 - 定格温度175℃のダイオードとトランジスタ
Nexperiaは、SOT23パッケージを採用した定格温度175℃のダイオードと汎用トランジスタ製品を発売した。AEC-Q101準拠で車載用途に適しており、許容損失が増加していることから、ギアボックスなどの高温設計が可能になる。 - スマート産業向け65V LDMOS RFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、スマート産業向けのRFパワートランジスタ、65V LDMOS製品「MRFX」シリーズの新たなラインアップ「MRFX1K80N」「MRFX600H」「MRFX035H」を発表した。