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産業機器向けデュアルSiC MOSFETモジュール：東芝 MG800FXF2YMS3
東芝デバイス＆ストレージは、電圧定格3300V、電流定格800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「MG800FXF2YMS3」を発表した。鉄道車両向け電力変換装置や再生可能エネルギー発電システムなどでの利用を見込む。
東芝デバイス＆ストレージは2021年2月、電圧定格3300V、電流定格800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「MG800FXF2YMS3」を発表した。大電力スイッチング用途に適する。量産開始は同年5月の予定。
iXPLVパッケージを採用し、チャンネル温度定格は175℃
パッケージには、Ag焼結接合技術を適用した取り付け互換性の高いiXPLV（intelligent fleXible Package Low Voltage）を採用しており、175℃までのチャンネル温度に対応する。
ドレインソース電圧は3300V、ドレイン電流は800A、絶縁耐圧は6000Vrmsだ。寄生インダクタンスは12nHで、ターンオンスイッチング損失は250mJ、ターンオフスイッチング損失は240mJとなっている。
鉄道車両向けコンバーター、インバーターなどの電力変換装置、再生可能エネルギー発電システム、産業用モーター制御機器の効率化と小型化に貢献する。
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