インフィニオン、950VのMOSFETファミリーを開発：スイッチング損失を低減

インフィニオン テクノロジーズは、950VのMOSFET「CoolMOS PFD7」ファミリーを開発した。高速ボディーダイオードを内蔵したほか、逆回復電荷を低減し、デバイスの堅牢性とBOMの削減を可能にした。

[EDN Japan]

　インフィニオン テクノロジーズは2022年10月、950VのMOSFET「CoolMOS PFD7」ファミリーを開発したと発表した。既に受注を開始している。高速ボディーダイオードを内蔵したほか、逆回復電荷を低減し、デバイスの堅牢性とBOM（部品表）の削減を可能にした。

スイッチング損失を低減

　スイッチング損失を抑えることで、ハードスイッチングやソフトスイッチング用途での効率を改善。従来品の900V SJ MOSFET「CoolMOS C3」と比較して、MOSFET温度が最大で4℃低くなっている。また、軽負荷時および全負荷時のPFC効率が0.2％以上向上した。

950V MOSFET「CoolMOS PFD7」ファミリー 出所：インフィニオン テクノロジーズ

　450mΩのDPAKや60mΩのTO247など、さまざまなSMDやTHDパッケージで最大55％低いオン抵抗デバイスを提供する。ゲートソース間しきい値電圧は3V、変動幅は±0.5Vと小さい。デザインインや駆動が容易で、設計の自由度が向上した。MOSFETのリニアモード動作を回避し、低駆動電圧とアイドルロスを低減する。

　ゲートチャージはCoolMOS C3と比べて60％改善し、駆動損失が大幅に低減。ESD耐性はHBM（ヒューマンボディーモデル）クラス2となる。主に、照明システムや民生用、産業用電源アプリケーションに適する。