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通過特性が1.5倍、高周波信号スイッチ向けフォトリレー東芝 TLP3475W

東芝デバイス&ストレージは、半導体テスターなどの高周波信号スイッチ向けフォトリレー「TLP3475W」の出荷を開始した。パッケージの最適化により、高周波信号の通過特性が従来比約1.5倍の20GHz(typ.)に向上している。

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 東芝デバイス&ストレージは2023年10月、半導体テスターなどの高周波信号スイッチ向けフォトリレー「TLP3475W」の出荷を開始した。小型、薄型ながら、高周波信号の通過特性を備える。

高周波信号スイッチ向けフォトリレー「TLP3475W」
高周波信号スイッチ向けフォトリレー「TLP3475W」 出所:東芝デバイス&ストレージ

インサーションロスが低減

 パッケージの最適化で寄生容量やインダクタンスを抑制したことで、インサーションロスが低減した。高周波信号の通過特性は20GHz(typ.)に向上している。同社従来品の「TLP3475S」に比べて、約1.5倍の通過特性を備える。また、1a接点のノーマリーオープン機能を搭載する。

インサーションロス S21特性の測定箇所インサーションロス S21特性(参考値) インサーションロス 左=S21特性の測定箇所/右=S21特性(参考値) 出所:東芝デバイス&ストレージ

 パッケージは、1.45×2.0×0.8mm(typ.)の「WSON4」を採用した。同社のパッケージ「S-VSON4T」と比較して厚みが40%低減していて、より多くの製品が同一基板内に実装可能になる。

 動作温度は−40〜+110℃に対応。メモリテスターやロジックテスターなどの半導体テスターやプローブカード、計測機器での用途に適する。

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