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第3世代の650V耐圧SiC SBD東芝 TRSxxx65H

東芝デバイス&ストレージは、産業機器向けに、第3世代の650V耐圧SiC(炭化ケイ素) ショットキーバリアダイオード「TRSxxx65H」シリーズを発売した。新たなショットキーメタルを採用している。

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 東芝デバイス&ストレージは2023年7月、産業機器向けに、第3世代の650V耐圧SiC(炭化ケイ素) ショットキーバリアダイオード「TRSxxx65H」シリーズを発売した。新たなショットキーメタルを採用し、第2世代品のジャンクションバリアショットキー構造を改善した第3世代SiC SBDチップを内蔵した。

SiC SBD「TRSxxx65H」シリーズ
SiC SBD「TRSxxx65H」シリーズ 出所:東芝デバイス&ストレージ

1.2Vの低い順方向電圧

 順方向電圧が1.2V(Typ.)と低く、前世代品の1.45V(Typ.)と比較して約17%減少している。順方向電圧と総電荷量のトレードオフ、順方向電圧と逆電流のトレードオフも前世代製品から改善した。

 総電荷量は400V、1MHz時で17nC(Typ.)、逆電流は650V時で1.1μA(Typ.)となる(いずれも「TRS6E65H」の場合)。損失を低減することで、搭載機器の高効率化に寄与する。

 TO-220-2Lパッケージ品を7種、DFN8×8パッケージ品を5種の計12種をラインアップにそろえた。スイッチング電源や太陽光発電向けインバーター、EV(電気自動車)充電スタンドなどの用途に適する。

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