ニュース
32GビットDDR5 DRAM採用のメモリモジュール:マイクロン 128GバイトDDR5 RDIMM
マイクロン・テクノロジーは2023年11月、モノリシックチップベースの128GバイトDDR5 RDIMMを発表した。競合製品と比較して、ビット密度は45%以上、エネルギー効率は最大24%、AI(人工知能)学習のパフォーマンスは最大28%向上している。
マイクロン・テクノロジーは2023年11月、モノリシックチップベースの128GバイトDDR5 RDIMMを発表した。AI(人工知能)やデータセンター、IMDB(メモリ内データベース)などでの用途に適する。
同社の1βテクノロジーを搭載した32GビットDDR5 DRAMを採用し、3DS TSV(シリコン貫通ビア)を用いた競合製品と比較して、ビット密度が45%以上向上した。エネルギー効率は最大24%、AI学習のパフォーマンスは最大28%向上している。また、レイテンシーは最大16%低減した。
DRAMチップのアスペクト比を最適化
32GビットDRAMの製造を効率化するため、DRAMチップのアスペクト比を最適化した。リフレッシュ管理機能や電圧ドメインを備え、電力供給ネットワークを最適化してエネルギー効率を向上できる。
同製品は2024年に、4800MT/秒、5600MT/秒、6400MT/秒に対応したプラットフォームに採用される予定。将来的には、最大8000MT/秒に対応したプラットフォームに向けて設計する計画だ。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
- 232層TLC NAND採用データセンター向けSSD
マイクロンテクノロジーは、2種のデータセンター向けSSDを発表した。TLC NANDフラッシュを採用した「Micron 6500 ION NVMe SSD」と、大量書き込みに対応する「Micron XTR NVMe SSD」となる。 - PCIe Gen4対応、232層NAND採用のデータセンター向けNVMe SSD
マイクロン・テクノロジーは、PCIe Gen4に対応した、メインストリームデータセンター向けNVMe SSD「Micron 7500」を発表した。232層NANDフラッシュを搭載し、競合品に比べてランダム書き込みパフォーマンスを最大242%向上できる。 - 転送速度が最大7200MT/秒、1βプロセス採用の16GビットDDR5 DRAM
マイクロンテクノロジーは、1βプロセスを採用した、16GビットのDDR5 DRAMを発表した。転送速度は4800〜7200MT/秒で、AIの学習や推論、生成AI、IMDBデータ分析などのアプリケーションの稼働を高いパフォーマンスで実行できる。