検索
ニュース

前世代品比でオン抵抗を42%低減した200V耐圧MOSFET逆回復電荷量は最大89%低減

インフィニオン テクノロジーズは、200V耐圧のMOSFET「OptiMOS 6」ファミリーを発表した。同社前世代品と比較してオン抵抗が42%、逆回復電荷量が最大89%低減し、ソフトリカバリー特性が向上している。

Share
Tweet
LINE
Hatena

 インフィニオン テクノロジーズは2024年3月、200V耐圧のMOSFET「OptiMOS 6」ファミリーを発表した。既に受注を開始している。

 同ファミリーは、同社前世代品「OptiMOS 3」と比較してオン抵抗が42%、逆回復電荷量が最大89%低減した。ソフトリカバリー特性も向上していて、同社によると「ソフトさ」が3倍以上改善したという。

 寄生容量の線形性も改善。スイッチング時の発振を低減し、オーバーシュート電圧を抑制する。

200V耐圧のMOSFET「OptiMOS 6」ファミリー
「OptiMOS 6 200V MOSFET」ファミリー 出所:インフィニオン テクノロジーズ

ゲートしきい値電圧のばらつきや相互コンダクタンスが低減

 さらに、ゲートしきい値電圧のばらつきや相互コンダクタンスが低減していて、温度の均一化や並列接続するMOSFET数の減少に寄与する。

 パッケージは、3.3×3.3mmのPQFNや5×6mmのSuperSO8、TO-220、TOLL、D2PAK-3P、D2PAK-7Pなど、多様な種類が用意されている。

 J-STD-020の吸湿耐性水準(MSL)レベル1に該当するほか、鉛フリーでRoHSに準拠する。

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

ページトップに戻る