前世代品比でオン抵抗を42％低減した200V耐圧MOSFET：逆回復電荷量は最大89％低減

インフィニオン テクノロジーズは、200V耐圧のMOSFET「OptiMOS 6」ファミリーを発表した。同社前世代品と比較してオン抵抗が42％、逆回復電荷量が最大89％低減し、ソフトリカバリー特性が向上している。

[EDN Japan]

　インフィニオン テクノロジーズは2024年3月、200V耐圧のMOSFET「OptiMOS 6」ファミリーを発表した。既に受注を開始している。

　同ファミリーは、同社前世代品「OptiMOS 3」と比較してオン抵抗が42％、逆回復電荷量が最大89％低減した。ソフトリカバリー特性も向上していて、同社によると「ソフトさ」が3倍以上改善したという。

　寄生容量の線形性も改善。スイッチング時の発振を低減し、オーバーシュート電圧を抑制する。

「OptiMOS 6 200V MOSFET」ファミリー 出所：インフィニオン テクノロジーズ

ゲートしきい値電圧のばらつきや相互コンダクタンスが低減

　さらに、ゲートしきい値電圧のばらつきや相互コンダクタンスが低減していて、温度の均一化や並列接続するMOSFET数の減少に寄与する。

　パッケージは、3.3×3.3mmのPQFNや5×6mmのSuperSO8、TO-220、TOLL、D²PAK-3P、D²PAK-7Pなど、多様な種類が用意されている。

　J-STD-020の吸湿耐性水準（MSL）レベル1に該当するほか、鉛フリーでRoHSに準拠する。