1200VのSiCショットキーダイオード：ビシェイ VS-3C05ET12T-M3など16種

ビシェイ・インターテクノロジーは、同社第3世代品となる1200VのSiC（炭化ケイ素）ショットキーダイオード16種を発表した。埋め込み型のMPS構造を採用し、定格電流5〜40Aを用意する。

[EDN Japan]

　ビシェイ・インターテクノロジーは2024年6月、同社第3世代品となる1200VのSiC（炭化ケイ素）ショットキーダイオード16種を発表した。既にサンプル品と製品を提供中で、量産時の標準納期は13週間となっている。

1200VのSiCショットキーダイオード 出所：ビシェイ・インターテクノロジー

28nCまでの低容量電荷と1.35Vの順方向電圧降下

　埋め込み型のMPS（Merged PIN Schottky）構造を採用し、定格電流は5〜40Aのデバイスで構成している。。28nCまでの低容量電荷を提供し、順方向電圧降下を1.35Vに低減した。標準逆リーク電流は、25℃で2.5μA。導通損失を低減し、軽負荷およびアイドリング時のシステム効率を高める。動作温度は最大＋175℃、順方向サージ電流は260Aまでと耐久性が高い。

　パッケージは、TO-220AC 2L、TO-247AD 2L、TO-247AD 3Lのスルーホール、D²PAK 2L（TO-263AB 2L）の表面実装パッケージを選択可能だ。2000時間の高温逆バイアス試験、2000回の温度サイクル試験に適合している。

　主な用途として、ソーラーインバーターのFBPS、LLCコンバーターにおけるAC-DC PFC、DC-DC超高周波出力整流、エネルギー貯蔵システム、産業用ドライブ、データセンターを見込む。