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マイクロプロセッサを使用したシステム、基板レイアウト作成時の重要ポイントは：マイクロプロセッサQ&Aハンドブック（4）（4/6 ページ）
マイクロプロセッサ（MPU）を使用したボードを開発するユーザーが抱えるさまざまな悩みに対し、マイクロプロセッサメーカーのエンジニアが回答していく連載「マイクロプロセッサQ＆Aハンドブック」。今回は、「基板レイアウト作成時の重要ポイント」について紹介します。
Q3 銅箔の厚みのozとは何ですか？
A3 銅箔の厚みの単位は、一般的にoz（オンス）で指定されます。1ozの厚みは0.035mmに相当します。0.5ozであれば0.017mmになります。
Q4 具体的な層構成の例はどのようになりますか？
A4 前述の項目を考慮した、一般的な基板材料であるFR-4での4層基板の層構成の例を表2に示します。また、FR-4での6層基板の層構成の例を表3に示します。
| 名称 | 厚み［mm］ | 比誘電率 | 配線層の割当て |
|---|---|---|---|
| ソルダレジスト（トップ） | 0.025 | 3.5 | - |
| 銅箔（トップ） | 0.037 | - | 配線層 トップ側に配置されたDDRメモリの信号など、インピーダンスマッチングが重要な高速信号 |
| プリプレグ | 0.07 | 4.1 | - |
| 銅箔（L2） | 0.035 | - | GND層 トップとボトムのGNDとはビアで接続すること |
| コア材 | 1.33 | 4.25 | - |
| 銅箔（L3） | 0.035 | - | - |
| プリプレグ | 0.07 | 4.1 | 電源層 VDD_DDR（DDR3L）, VDD2_DDR（LPDDR2／3） |
| 銅箔（L4） | 0.037 | - | その他信号の配線 |
| ソルダレジスト（ボトム） | 0.025 | 3.5 | - |
| 表2：FR-4での4層基板の層構成例 | |||
| 名称 | 厚み［mm］ | 比誘電率 | 配線層の割当 |
|---|---|---|---|
| ソルダレジスト（トップ） | 0.025 | 3.5 | - |
| 銅箔（トップ） | 0.046 | - | 配線層 トップ側に配置されたDDRメモリのデータ信号（DQ0-31,DQS）など、インピーダンスマッチングが重要な高速信号 |
| プリプレグ | 0.071 | 4.21 | - |
| 銅箔（L2） | 0.035 | - | GND層 トップとボトムのGNDとはビアで接続すること |
| プリプレグ | 0.094 | 4.09 | - |
| 銅箔（L3） | 0.023 | - | DDRメモリのアドレス／コントロール信号（A0-15, BA0-2, RASN, CASN, WEN, CSN, CKE, ODT, CLK）など |
| コア材 | 0.865 | 4.68 | - |
| 銅箔（L4） | 0.023 | - | |
| プリプレグ | 0.094 | 4.09 | |
| 銅箔（L5） | 0.035 | - | 電源層 VDD_DDR（DDR3L）, VDD2_DDR（LPDDR2／3） |
| プリプレグ | 0.071 | 4.21 | - |
| 銅箔（ボトム） | 0.046 | - | デカップリングキャパシターの配線 |
| ソルダレジスト（ボトム） | 0.025 | 3.5 | - |
| 表3：FR-4での6層基板の層構成例 | |||
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