長寿命の1200V SiC MOSFETパワーモジュール、ビシェイ:中〜高周波アプリケーション向け
ビシェイ・インターテクノロジーは、車載やエネルギー、産業、通信システムなどの中〜高周波アプリケーション向けに、1200V SiC MOSFETパワーモジュール「VS-MPY038P120」「VS-MPX075P120」を発表した。4個または6個のMOSFETを搭載する。
ビシェイ・インターテクノロジーは2025年12月、車載やエネルギー、産業、通信システムなどの中〜高周波アプリケーション向けに、1200V炭化ケイ素(SiC)MOSFETパワーモジュール「VS-MPY038P120」「VS-MPX075P120」を発表した。VS-MPY038P120は4個、VS-MPX075P120は6個のMOSFETを搭載する。
低背パッケージで寄生インダクタンスを低減
両製品は、同社の最新世代SiC MOSFET、温度検知用NTCサーミスター、低逆回復を備えた高速SiC技術を統合した。堅牢なトランスファーモールド構造を備えた低背のMAACPAK PressFitパッケージを採用し、従来の市販製品と比べて長い製品ライフサイクルを確保。熱抵抗を改善、寄生インダクタンスとEMIを低減している。
モジュールのPressFitピンは、業界標準のレイアウトに準拠したマトリクス状に配置していて、競合品からの置き換えも容易だ。低容量ながら高速スイッチングに対応し、最大動作ジャンクション温度は+175℃だ。
VS-MPY038P120は、オン抵抗が38mΩで、80℃時の連続ドレイン電流35Aのフルブリッジインバーター構成を提供する。VS-MPX075P120は、オン抵抗が75mΩ、連続ドレイン電流18Aの三相インバーター構成だ。
サンプルおよび製品はすでに提供中で、量産時の標準納期は13週間。電気自動車(EV)やハイブリッド車(HEV)向け充電器や太陽光インバーター、モータードライブ、DC-DCコンバーター、大規模蓄電池システム、通信電源などの高効率化に寄与する。
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