新技術でオン抵抗を低減したパワーMOSFET、STマイクロ：大電流用途向け

STマイクロエレクトロニクスは、電力供給用途向けに低オン抵抗のパワーMOSFETシリーズを発表した。同社の新技術「Smart STripFET F8」により、オン特性やサイズ効率が向上している。

[EDN Japan]

　STマイクロエレクトロニクスは2026年4月、電力供給用途向けに低オン抵抗のパワーMOSFETシリーズを発表した。すでに車載グレード品「STL059N4S8AG」の量産およびサンプル提供を開始している。

低オン抵抗のパワーMOSFETシリーズ 出所：STマイクロエレクトロニクス

　同シリーズでは、同社の新技術「Smart STripFET F8」を採用。従来技術の「STripFET F8」をベースにトレンチゲート構造を改良したもので、オン特性やサイズ効率が向上した。配電システムやバッテリーマネジメントシステム（BMS）など、導通損失の低減が重要な大電流用途に適する。

オン抵抗を0.59mΩに抑制

　同シリーズ第1弾となるSTL059N4S8AG（耐圧40V、電流定格420A）では、オン抵抗を0.59mΩに抑えた。小型のPowerFLAT 5×6パッケージを採用していて、基板面積の削減に寄与する。動作温度は最高175℃まで対応可能で、車載向け電子部品規格「AEC-Q101」に準拠した。ウェッタブルフランク構造により自動光学検査にも対応する。

　同社の「STi²Fuse VIPower」ゲートドライバーと同シリーズを組み合わせることで、回路遮断の調整や基板、配線、コネクターの保護にも対応する。車載電源システムにおいて消費電力を低減し、バッテリーから電装系への電力供給効率を高めることで、走行距離の延長にも寄与する。

　同社は今後、オン抵抗0.75mΩで電流定格350Aの「STL075N4S8AG」、オン抵抗0.35mΩで電流定格780Aの「STK035N4S8AG」も順次投入する予定としている。