GaNトランジスタ採用パワーSiPの第2世代品、STマイクロ：システム制御機能を強化

STマイクロエレクトロニクスは、第2世代「MasterGaN」ハーフブリッジファミリーのパワーSiP「MasterGaN6」を発表した。オン抵抗140mΩのGaNパワートランジスタを搭載している。

[EDN Japan]

　STマイクロエレクトロニクスは2026年3月、第2世代「MasterGaN」ハーフブリッジファミリーのパワーSiP（System in Package）「MasterGaN6」を発表した。1000個購入時の単価は約4.14米ドル（約620円）だ。

パワーSiP「MasterGaN6」 出所：STマイクロエレクトロニクス

　同製品は、BCD（Bipolar CMOS DMOS）ドライバーと、オン抵抗140mΩの窒化ガリウム（GaN）パワートランジスタを搭載する。フォルト検出やスタンバイ制御用の専用ピンを追加し、システム制御機能を強化している。LDOとブートストラップダイオードを内蔵し、外付け部品を削減するとともに駆動回路の最適化を図った。

　ドライバー回路は高速のタイミング技術を採用。最小オン時間や伝搬遅延を短縮し、高周波動作を可能にした。ウェイクアップ時間も短く、バーストモード動作時の低負荷効率を高める。

各種保護機能を搭載

　保護機能としては、貫通電流防止や過熱シャットダウン、超低電圧ロックアウトなどを内蔵した。基板面積の小型化や部材コストの削減、回路レイアウトの簡素化に寄与する。

　最大10Aの電流を処理可能。アクティブクランプフライバック（ACF）回路や共振LLC回路、力率補正回路（PFC）、反転出力の降圧コンバーターなどの電源トポロジーに対応する。

　パッケージは、9×9mmのQFNを採用した。コンシューマー機器用充電器やアダプター、産業用照明電源、太陽光発電設備用DC-AC小型インバーターなどを主な用途に想定している。

　評価ボード「EVLMG6」も提供する。さらに、同社の設計ツール「eDesignSuite」のPCB熱分布シミュレーターにもMasterGaN6のモデルを追加した。