SiC MOSFET×ゲートドライバーの最適解を数秒で、onsemiが新ツール：PCIM Expo & Conference 2026でデモ（1/2 ページ）

onsemiは炭化ケイ素（SiC） MOSFETとゲートドライバーの最適な組み合わせを自動で提案する新ツール「Elite Pairing Studio」を発表した。データシートの比較やシミュレーションを繰り返していた従来のデバイス選定を自動化。設計初期段階で最適な組み合わせを導き出すことで、設計期間の短縮につながるという。

[永山準，EDN Japan]

　onsemiは、炭化ケイ素（SiC） MOSFETとゲートドライバーの最適な組み合わせを自動で提案するオンラインツール「Elite Pairing Studio」を発表した。データシートの比較やシミュレーションを繰り返していた従来のデバイス選定を自動化し、設計初期段階で最適な組み合わせを導き出すことで、設計期間の短縮につながるという。なお同社は、このツールを世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日、ドイツ・ニュルンベルク）で展示した。

Elite Pairing Studioのデモの展示［クリックで拡大］

「多数のデータシートとにらめっこ」不要に、自動化で10倍早く

　AIデータセンターや電気自動車（EV）、産業機器向けパワーエレクトロニクスでは、SiC MOSFETの性能を十分に引き出すため、ゲートドライバーとの適切な組み合わせが重要となる。しかし、実際には多数のゲートドライバーのデータシートを比較し、駆動能力やスイッチング特性を確認しながら最適な製品を選定する必要があり、設計者にとって負担の大きい作業となっていた。

　同社説明担当者は「通常は数多くのデータシートを見ながら、駆動能力が選択したSiC MOSFETに適しているかを確認する。しかし、この作業には非常に時間がかかる。そして全てを考慮に入れなければ『最適』な組み合わせは選べない」と説明する。

　Elite Pairing Studioは、この課題を解決するためにonsemiが開発したクラウドベースの設計ツールで、同社が2026年6月8日に発表した。同ツールでは、システム条件を入力すると、解析アルゴリズムがゲートドライバーの候補を数秒で評価し、最適な組み合わせを提案。エンジニアはその候補についてスイッチング波形や損失などを比較しながら、用途に適した組み合わせを選択できる。担当者は「従来のような手作業による選定と比べ10倍早く最適なゲートドライバー選定が可能になる」と語っていた。

　なお同社は「このツールは、業界で確立された計算式と実環境に基づく性能算出に裏付けられた、透明性の高い手法を採用している。評価ロジックは明確であり、ユーザーによる検証が可能だ」と説明している。