SiC MOSFET×ゲートドライバーの最適解を数秒で、onsemiが新ツール：PCIM Expo & Conference 2026でデモ（2/2 ページ）

onsemiは炭化ケイ素（SiC） MOSFETとゲートドライバーの最適な組み合わせを自動で提案する新ツール「Elite Pairing Studio」を発表した。データシートの比較やシミュレーションを繰り返していた従来のデバイス選定を自動化。設計初期段階で最適な組み合わせを導き出すことで、設計期間の短縮につながるという。

[永山準，EDN Japan]

選定、シミュレーション、分析を即座に

　Elite Pairing Studioは、まず選択したonsemiのSiC MOSFET製品「EliteSiC MOSFET」に対応するゲートドライバーを解析アルゴリズムによって自動評価する。SiC MOSFETとゲートドライバーの電気的な適合性に加え、スイッチング性能や駆動能力、一般的な動作条件における予想効率などを総合的に評価し、推奨順位（ランキング）を表示する仕組みだ。さらに、価格や最大接合温度、ピーク駆動電流などを優先項目として推奨順位を並べ替えることもできる。これによって、従来のように多数のデータシートを比較する必要がなくなるとしている。

Elite Pairing Studioのデバイス選定に関する画面について［クリックで拡大］ 出所：onsemi　Elite Pairing Studioのユーザーガイド

　さらに、onsemiが物理検証済みのSPICEモデルを用いて、スイッチング特性を解析できる。エンジニアは、バス電圧やゲート抵抗、負荷条件などを変更しながら、ゲート電圧／電流波形、スイッチングタイミング、ターンオン／ターンオフエネルギー、電圧オーバーシュートマージンなどを確認可能だ。また、複数の候補を比較しながら、それぞれの性能やトレードオフを可視化して比較／分析でき、用途に最適なデバイス構成が選択できるという。

Elite Pairing Studioは「Choose」と「Simulate」「Analyze」の3ステップがある。［クリックで拡大］ 出所：onsemi　Elite Pairing Studioのユーザーガイド

一貫した設計フローを構築

　選定したデバイスの組み合わせは、そのままPLECSベースのシステムレベルシミュレーションモデルとして引き継ぐことができ、onsemiの「Elite Power Simulator」を用いて効率や熱特性、損失などのシステムレベル解析へ移行できる。これにより、デバイス選定からシステム最適化まで一貫した設計フローを構築できるという。

　Elite Pairing Studioは既に利用可能。ブラウザから利用でき、ソフトウェアのインストールは不要だ。同社は「クラウドベース環境によって、エンジニアはonsemi.com上の安全な専用ワークスペースにアクセスし、直感的なワークフローを通じて、入力条件に基づくデバイスの組み合わせを検討できる」としている。

　説明担当者は「このようなツールを提供している競合はない。われわれはSiC MOSFETとゲートドライバーの両方を自社で手掛け幅広い製品群を展開しているため、最適な組み合わせを提案できる。これが当社ならではの強みだ」と語った。なお、Elite Pairing Studioは現在EliteSiC MOSFET向けに提供されているが、今後はシリコン MOSFETやIGBTなど対応デバイスを順次拡充する予定だとしている。