SRAMとDRAMのスケーリング限界克服目指す、NEO Semiconductor：AI向け新メモリプラットフォーム

NEO Semiconductorは、AIメモリシステムにおけるSRAMとDRAMのスケーリング限界を克服するメモリプラットフォーム「NEO.AI」を発表した。

[EDN]

「X-SRAM」技術および「3D X-DRAM」の開発進捗

　NEO Semiconductorの「NEO.AI」は、AIメモリシステムにおけるSRAMとDRAMのスケーリング限界を克服するメモリプラットフォームでだ。同社は同プラットフォームの発表に合わせて、GPUやAIプロセッサのオンチップメモリ向け「X-SRAM」技術を発表するとともに、広帯域メモリ（HBM）向け大容量メモリ技術「3D X-DRAM」の最新の開発進捗を明らかにした。

[クリックで拡大] 出所：NEO Semiconductor

　NEO Semiconductorによると、X-SRAMは従来の6トランジスタSRAMを2トランジスタアーキテクチャに置き換えることで、最大5倍のメモリ密度を実現し、1〜2GBのオンチップメモリを搭載できるという。同技術はSRAMクラスの性能を維持し、先端ナノシートCMOSプロセスと互換性がある。将来のモノリシック3D X-SRAM実装への道筋も提供する。

　NEO Semiconductorによると、3D NAND製造プロセスをベースとする3D X-DRAMは、従来のDRAMに比べて最大10倍のメモリ容量を実現する。概念実証に成功したことで、次世代HBM向けのスケーラブルで量産可能なソリューションとなる可能性を実証した。