ディスプレイの寿命を延長するデュアル出力LCDバイアス電源IC 逆回復時間は15ナノ秒、トレンチMOS構造採用の100V耐圧SBD ユニット数削減に貢献する、4.5kV IGBTモジュール ゲートドライバーと2つのGaN HEMTを搭載したSiP 高精度な過電流検出機能を搭載した1セル用電池保護IC