高速スイッチングを達成、定格1200VのSiC MOSFET：リテルヒューズ LSIC1MO120E0080シリーズ

リテルヒューズは、定格電圧1200VのSiC MOSFET「LSIC1MO120E0080」シリーズを発売した。定格電流は25Aで、通常オン抵抗は80mΩ、最大150℃の温度で動作する。

[EDN Japan]

定格電圧1200V、通常オン抵抗80mΩ

　リテルヒューズは2017年10月、定格電圧1200VのSiC MOSFET「LSIC1MO120E0080」シリーズを発売した。同社は、パワー半導体分野の強化に向けて同年3月にモノリスセミコンダクターへ投資を実施。新製品は、このパートナーシップによって設計、開発、製造した最初のSiC MOSFETとなる。

SiC MOSFET「LSIC1MO120E0080」シリーズ

　定格電流は25Aで、通常オン抵抗は80mΩ。最大150℃の温度で動作する。駆動電圧は20、−5V、スイッチングエネルギーは330μJ、ゲート電荷は95nC。全温度常時オフ仕様で、Nチャネル構成、パッケージはTO-247-3Lを採用した。

　高速スイッチングによりエネルギー効率と電力密度を大幅に向上する他、高温度下でも低スイッチング損失による高いスイッチング周波数を可能にした。これらの特徴を備えたことで、高周波スイッチングアプリケーションで利用できる。

　同社では、太陽光発電用インバーター、スイッチモード電源、無停電電源装置（UPS）システム、モータードライブ、高電圧DC-DCコンバーター、充電器など電力変換システムでの用途を見込む。