ニュース
スイッチング電源向けの600V耐圧プレーナMOSFET：東芝 π-MOSIXシリーズ
東芝デバイス＆ストレージは、600V耐圧のプレーナMOSFET「π-MOSIX（パイモスナイン）」シリーズの量産を開始した。従来製品の「π-MOSVII（パイモスセブン）」シリーズに比べ、EMIノイズピーク値を5dB低減した。
定格電流と同等のアバランシェ電流定格
東芝デバイス＆ストレージは2018年1月、600V耐圧のプレーナMOSFET「π-MOSIX（パイモスナイン）」シリーズの量産を開始した。ドレイン電流11Aの「TK650A60F」、同10Aの「TK750A60F」、同6Aの「TK1K2A60F」、同3.7Aの「TK1K9A60F」をそろえた。
チップデザインを最適化したことで、従来製品の「π-MOSVII（パイモスセブン）」シリーズに比べてEMIノイズピーク値を5dB低減した。また、定格電流（DC）と同等のアバランシェ電流定格を確保している。
オン抵抗は、TK650A60Fが最大0.65Ω、TK750A60Fは最大0.75Ω、TK1K2A60Fは最大1.2Ω、TK1K9A60Fは最大1.9Ω。ゲート入力電荷量は、それぞれ34nC、30nC、21nC、14nCとなる。
主な用途として、ノートPC用ACアダプター、ゲーム機チャージャーなどの中小型スイッチング電源、照明用電源などを見込む。さらに今後、同耐圧でのラインアップ展開や500V、650V耐圧品を展開するとしている。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
高速リカバリーダイオード内蔵のパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、高速リカバリーダイオードを内蔵したスーパージャンクション型パワーMOSFET「MDmesh DK5」シリーズを発表した。さまざまな電力変換トポロジーの効率を最大化する。
Rフライバック方式に対応した耐圧700VのMOSFET
インフィニオンテクノロジーズは2017年1月、疑似共振（QR）フライバック方式に対応する、耐圧700VのパワーMOSFET「700V CoolMOS P7」ファミリーを発表した。
小電力から大電力まで対応する高耐圧MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、600Vのブレークダウン電圧で動作する高耐圧MOSFET「600V CoolMOS P7」「600V CoolMOS C7 Gold」を発表した。サーバや通信、太陽光発電、充電器などの用途で電力密度を高めることができる。
高速スイッチングを達成、定格1200VのSiC MOSFET
リテルヒューズは、定格電圧1200VのSiC MOSFET「LSIC1MO120E0080」シリーズを発売した。定格電流は25Aで、通常オン抵抗は80mΩ、最大150℃の温度で動作する。
MOSFETの実効容量値を簡単に求める術
MOSFETのデータシートには、1つの測定電圧での出力静電容量値が記載されています。この値は、従来のプレーナ型MOSFETには有効でしたが、スーパージャンクションなど複雑な構造を用いる最新のMOSFETの評価には適していません。本稿では、最新のMOSFETの評価に有効な実効容量値を、より簡単に求める方法を探っていきます。
DC-DCコンバータのノイズ対策［理論編］
スイッチング方式のDC-DCコンバータは、その仕組みから、ノイズの発生源となってしまう可能性がある。これを避けるために、設計者は適切な対処法を知っておかなければならない。本企画では、2回にわたり非絶縁型/スイッチング方式のDC-DCコンバータのノイズ対策について実践的に説明する。今回は『理論編』として、ノイズの種類やノイズの発生メカニズムを中心に解説を行う。