電力密度を高める650V SiCショットキーダイオード：オンセミ 650V SiCダイオード

オン・セミコンダクターは、650Vシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードファミリーを同社製品ラインアップに追加する。動力損失を減らし、デバイスのパラレル化を支援することで、スイッチング性能を向上できる。

[EDN Japan]

電力損失を抑え、スイッチング速度を向上

　オン・セミコンダクターは2018年3月、650Vシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードファミリーを発表した。スイッチング抵抗を低減し、デバイスの並列化を支援することで、電力供給性能を高めることができる。

650V SiCショットキーダイオードファミリー

　これまでも同社は1200V SiCデバイスを提供しているが、今回新たに650V品を追加。6〜50Aの範囲で、DPAK、TO-220、TO-247パッケージで提供される。

　低いフォワード電圧（VF）と高いサージ容量、正温度係数を備える。また、SiCダイオードのリカバリー特性により、電力損失を抑えて効率を向上できる。SiCダイオードの高速リカバリーによってスイッチング速度が向上し、磁気やその他の受動素子のサイズを小型化できる。これにより、電力密度が向上し、回路設計全体の小型化につながる。

　動作温度範囲は−55〜175℃で、より高いサージ電流に耐えることができる。独自の終端構造を採用しており、安定性と堅ろう性を改善した。

　太陽光発電インバーター、電気自動車（EV）充電器、テレコムやデータセンターの電力供給など、さまざまな用途で利用するPFC（力率改善）やブーストコンバーターの設計に適用できるとしている。