全容量電荷47〜115nCのSiCショットキーダイオード：リテルヒューズ GEN2シリーズ

リテルヒューズは、シリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオード「GEN2」シリーズに、定格電流8〜20Aの新製品4種を追加した。スイッチング損失が少ないため、逆方向スイッチングのストレスを低減できる。

[EDN Japan]

1.5Vの順方向電圧降下で導通損失を抑制

　リテルヒューズは2018年1月、シリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオード「GEN2」シリーズに、新たに「LSIC2SD120A08」「LSIC2SD120A15」「LSIC2SD120A20」「LSIC2SD120C08」の4種を追加した。同年2月上旬より発売する。

SiCショットキーダイオード「GEN2」シリーズの新製品

　定格電流は8〜20Aで、全容量電荷は47〜115nC、ピーク繰り返し逆電圧は1200V、逆方向電流は100μAとなる。最大接合部温度は175℃と高く、幅広い設計が可能になるため、熱管理の問題に柔軟に対応できる。

　また、優れた電荷蓄積量と高速な逆回復時間により、高周波電力スイッチングに対応する。スイッチング損失が少ないため、逆方向スイッチングのストレスを低減できる。順方向電圧降下は1.5Vのため、導通損失を抑制できる。

　パッケージは、LSIC2SD120A08、LSIC2SD120A15、LSIC2SD120A20がTO-220-2Lパッケージ、LSIC2SD120C08がTO-252-2Lパッケージを採用。同社では、PFC（力率改善）、DC-DCコンバーターの昇圧および降圧ステージ、インバーターステージの還流ダイオード、高周波出力整流などの用途を想定している。