15k〜40kHzで動作するディスクリートIGBT：インフィニオン 1200V TRENCHSTOP IGBT6
インフィニオンテクノロジーズは、15k〜40kHzのスイッチング周波数で動作する、ディスクリートIGBTデュオパック「1200V TRENCHSTOP IGBT6」の提供を開始した。
12インチウエハー上で生産
インフィニオンテクノロジーズは2018年7月、15k〜40kHzのスイッチング周波数で動作する、ディスクリートIGBTデュオパック「1200V TRENCHSTOP IGBT6」の提供を開始した。12インチウエハー上で生産されたもので、無停電電源、ソーラーインバーター、バッテリーチャージャー、電力ストレージなどの用途を見込む。
1200V TRENCHSTOP IGBT6は、同社の「S6」「H6」シリーズという2つの製品ファミリーとして提供される。S6シリーズは、Highspeed3 H3の低いスイッチング損失と1.85Vの低い導通損失を組み合わせている。H6シリーズは、低スイッチング損失に最適化され、前世代の「H3」に比べて総スイッチング損失を約15％低くした。
アプリケーション上でのテストでは、Highspeed3 IGBTをIGBT6 S6シリーズに置き換えた場合、最大0.2％効率が改善したという。また、正の温度係数を持ち、デバイスの並列使用ができる。優れたゲート抵抗制御性により、用途に合わせてIGBTのスイッチング速度を調整することも可能だ。
現在量産中で、15Aと40AのIGBTは、ハーフまたはフル電流定格の還流ダイオードと共にTO-247-3パッケージに組み込まれた。75Aのディスクリート製品は、75AのIGBTと還流ダイオードが3ピンまたは4ピンのTO-247PLUSパッケージに実装されている。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
シャント抵抗を内蔵したIGBTモジュール
インフィニオンテクノロジーズは、AC出力での電流モニタリングに使われるシャント抵抗を内蔵した、IGBTモジュール「EconoDUAL 3」の販売を開始した。「IGBT4」を搭載し、1200Vで300〜600Aの電流範囲に対応する。
定格75Aを可能にしたパワー半導体モジュール
三菱電機は、パワー半導体モジュール「1200V 大型 DIPIPM Ver.6」シリーズのラインアップを拡充し、40kW級のパッケージエアコンに対応する75A／1200V品「PSS75SA2FT」を発売した。
SiC、GaNパワー半導体対応の絶縁ゲートドライバ
アナログ・デバイセズ（ADI）は2017年5月23日、高いコモンモード過渡電圧耐性性能と低伝搬遅延を両立した小型の絶縁ゲートドライバ4製品を発表した。
最大級の電流密度を誇るパワー半導体モジュール
三菱電機は、電鉄や電力などの大型産業機器向けに、大容量パワー半導体モジュール「HVIGBTモジュールXシリーズ LV100タイプ」2種を発表した。大電流密度により、インバーターの高出力化や高効率化に寄与する。
スイッチング電源の焼損
スイッチング電源は、変換効率の高さから従来のシリーズ電源を置き換えた画期的な電源だ。だが、登場した当初は安全性に課題が残る製品も多かった。例えば、焼損である。どうやってこの問題を解決したのだろうか。
IGBTの熱計算により 電力設計の有効性を最大化
1つのダイで構成される半導体デバイスのジャンクション（接合部）温度の計算方法はよく知られています。ダイの電力損失を測定し、ダイとパッケージ間の熱抵抗を掛けて、ケースから接合部への温度上昇を計算すれば求められます。しかし、IGBTとダイオードを1パッケージに封止したパワーモジュールの場合はどうすれば良いでしょう。ここでは、IGBTとダイオードの熱抵抗を用いて平均およびピーク時のジャンクション温度を計算する方法を解説します。