低オン抵抗の100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET：東芝 XK1R9F10QB

東芝デバイス＆ストレージは、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売した。低オン抵抗でスイッチングノイズも少ない。既に量産出荷を開始している。

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2020年2月、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売した。低オン抵抗でスイッチングノイズも少ない。同社の最新世代プロセスを採用したトレンチ構造MOSFET「U-MOS X-H（ユーモス テンエイチ）」シリーズの第1弾製品で、既に量産出荷を開始している。

100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」

最大1.92mΩの低オン抵抗

　大きさは10.0×13.0×3.5mmで、3ピンの低抵抗パッケージのTO-220SM（W）を採用。最大オン抵抗は1.92mΩで、従来品「TK160F10N1L」と比べて約20％低く、機器の低消費電力化に貢献する。ドレインソース間電圧は100V、ドレイン電流（DC）が160A、チャンネル温度は175℃。

　MOS構造を最適化することでスイッチングノイズを削減しており、機器のEMI（電磁妨害）も低減できる。しきい値電圧幅は1Vで、並列使用時のスイッチング同期性にも貢献する。

　AEC-Q101に適合し、ロードスイッチ、スイッチング電源、モータードライブなど車載機器での利用を見込む。