最新プロセス採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET：東芝 U-MOS X-Hシリーズ

東芝デバイス＆ストレージは、最新世代プロセスを採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOS X-H」シリーズを発売した。「TPH2R408QM」「TPN19008QM」の2種を用意する。同社の従来品と比較して、ドレインソース間オン抵抗を約40％低減した。

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2020年3月、最新世代プロセスを採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOS X-H（ユー・モス・テン・エイチ）」シリーズを発売した。表面実装タイプパッケージのSOP Advanceを採用した「TPH2R408QM」、TSON Advanceを採用した「TPN19008QM」を用意し、順次出荷を開始している。

NチャネルパワーMOSFET「TPH2R408QM」「TPN19008QM」

ドレインソース間オン抵抗を約40％低減

　U-MOS X-Hシリーズでは、同社の従来世代プロセス「U-MOS VIII-Hシリーズ」80V耐圧製品と比べて、ドレインソース間オン抵抗を約40％低減。さらに、素子構造を最適化し、ドレインソース間オン抵抗とゲート電荷量特性のトレードオフも改善している。

　TPH2R408QMの最大ドレイン電流は120A、オン抵抗はゲートソース間電圧が＋10Vのときに2.43mΩ、＋6Vのときに3.5mΩ。TPN19008QMの最大ドレイン電柱が34A、オン抵抗はゲートソース間電圧が＋10Vのときに19mΩ、＋6Vのときに28mΩとなっている。

　パッケージサイズは、TPH2R408QMが5.0×6.0mm、TPN19008QMが3.3×3.3mm。いずれも最大チャネル温度は＋175℃。高効率AC-DCコンバーターや高効率DC-DCコンバーターなどのスイッチング電源、モータードライブなどのモーター制御機器での用途を見込む。