車載など向けの低オン抵抗650V GaN FET：Nexperia GAN041-650WSB、GAN039-650NBB

Nexperiaは、次世代GaN技術を採用した650V GaN FET「GAN041-650WSB」「GAN039-650NBB」を発表した。安定性とスイッチング性能、オン状態の性能に優れ、オン抵抗はそれそれ最大41mΩ、最大39mΩに抑えている。

[EDN Japan]

　Nexperiaは2020年6月、650V GaN（窒化ガリウム）FETの「GAN041-650WSB」「GAN039-650NBB」を発表した。両製品とも、車載用半導体規格「AEC-Q101」に準拠、車載、5G（第5世代移動通信）、データセンター市場などに向け展開する。既にサンプル供給を開始している。

650V GaN FETデバイス「GAN041-650WSB」「GAN039-650NBB」

　両製品は、エピ貫通ビアを用いる次世代高耐圧GaN HEMT H2技術を採用。これにより不具合が低減し、ダイのサイズが約24％縮小している。安定性とスイッチング性能、オン状態の性能に優れ、複雑なドライバや制御機能を必要としないカスコード構成のため、アプリケーション設計を簡素化する。

パッケージは2種、どちらも低オン抵抗

　GAN041-650WSBはTO-247パッケージで、オン抵抗を最大41mΩに低減した（25℃時の代表値は35mΩ）。GAN039-650NBBは、銅クリップを用いた同社独自のCCPAK表面実装パッケージを採用しており、オン抵抗が最大39mΩとさらに低くなっている（25℃時の代表値は33mΩ）。CCPAKパッケージは、上面あるいは下面冷却の構成で、放熱特性をさらに高められる。

　同社は、まずGAN041-650WSBと電源モジュールメーカー向けのベアダイ製品をリリースし、続けてGAN039-650NBBを発売する。