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5Gセルラー基地局向けRF MCMNXP 第2世代RF MCM

NXPセミコンダクターズは、5Gセルラー基地局向けのRFパワーマルチチップモジュール10種を発表した。同社最新のLDMOS技術と統合設計技術を採用しており、前世代品と同じフットプリントで、より高い出力や効率、より広い周波数帯を提供する。

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 NXPセミコンダクターズは2020年12月、5G(第5世代移動通信)セルラー基地局向けのRFパワーマルチチップモジュール(MCM)10種を発表した。同社のMCMでは第2世代となり、平均出力37〜39dBmで、2.3G〜4.0GHzの5G周波数帯をカバーする。


第2世代RFパワーマルチチップモジュール

 同製品群には、同社最新のLDMOS技術と統合設計技術を採用。前世代品と同じフットプリントで、より高い出力や効率、より広い周波数帯の提供が可能となった。

出力が20%、電力付加効率が4ポイント向上

 新製品の1つ「AFSC5G26E38」は、前世代品と比較して出力が20%向上した。5Gにおける基地局タワーあたりのカバレッジ拡張需要に対応する。また、電力付加効率は45%で、前世代品と比較して4ポイント高くなっている。  

 同じく新製品の「AFSC5G40E38」は、3.7〜4.0GHzの5G Cバンドに対応。NECが楽天モバイル向けに提供するMassive MIMO 5Gアンテナ無線子局に採用されている。

 同社のRF MCMは、LDMOS ICにドハティスプリッターおよびコンバイナー、50Ω入出力マッチング回路を組み合わせている。統合性の高さから複数のプロトタイプパスが不要になり、部品点数が減るため、歩留まりを向上して、認証サイクル時間の短縮に寄与する。

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