検索
ニュース

窒化アルミニウム採用のSiC MOSFETインフィニオン FF11MR12W1M1_B70、FF6MR12W2M1_B70

インフィニオン テクノロジーズは、1200VファミリーのEasyDUAL CoolSiC MOSFETモジュールに、窒化アルミニウムセラミックを採用した「FF11MR12W1M1_B70」「FF6MR12W2M1_B70」を追加した。

Share
Tweet
LINE
Hatena

 インフィニオン テクノロジーズは2021年4月、1200VファミリーのEasyDUAL CoolSiC MOSFETモジュールに、窒化アルミニウムセラミックを採用した「FF11MR12W1M1_B70」「FF6MR12W2M1_B70」を追加した。両製品とも、既に販売を開始している。

 ハーフブリッジ構成で、信頼性の高いゲート酸化膜を採用したCoolSiC MOSFET技術を搭載する。オン抵抗は、EasyDUAL 1Bパッケージが11mΩ、EasyDUAL 2Bパッケージが6mΩ。

ヒートシンクへの熱抵抗を最大40%低減

 DCB材料の熱伝導性を向上させたことで、ヒートシンクへの熱抵抗を最大40%低減する。CoolSiC Easyモジュールとともに使用することで、出力電力の増加やジャンクション温度の低下が可能になる。

左=「FF11MR12W1M1_B70」/ 右=「FF6MR12W2M1_B70」

 ソーラーシステムや無停電電源装置、補助インバーター、エネルギー貯蔵システム、電気自動車の充電器といった高電力用途での需要を見込む。

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

ページトップに戻る