車載グレードの80V PチャンネルMOSFET：ビシェイ SQJA81EP

ビシェイ・インターテクノロジーは、車載用規格「AEC-Q101」に準拠した80VのPチャンネルMOSFET「SQJA81EP」を発表した。10Vでのオン抵抗が前世代品と比較して31％低く、この低オン抵抗によって導通時の電力損失を抑え、電力密度を高める。

[EDN Japan]

　ビシェイ・インターテクノロジーは2021年4月、車載用規格「AEC-Q101」に準拠した80VのPチャンネルMOSFET「SQJA81EP」を発表した。既にサンプル品および量産品の提供を開始しており、量産時の標準納期は14週間になっている。

　SQJA81EPは、10Vでのオン抵抗が最小17.3mΩ、標準14.3mΩで、同社の前世代品と比較して31％低くなっている。この低オン抵抗により、導通時の電力損失を抑え、電力密度を高める。電力密度の向上は、並列で使用する部品を減らし、基板の省スペース化に貢献する。

80V PチャンネルMOSFET「SQJA81EP」

優れたゲート電荷と低オン抵抗で最高クラスのFOM

　ゲート電荷は10Vで52nCになっていて、ゲートドライブでの損失を低減する。これにより、電力変換アプリケーションにおいて、最高クラスのFOM（性能指数：ゲート電荷×オン抵抗）を誇る。

　また、PチャンネルMOSFETであるSQJA81EPは、対のNチャンネル部品に必要なチャージポンプを必要としないため、簡素なゲートドライブ設計が可能になる。

　動作上限温度は＋175℃。高温環境下での動作が求められる車載用途に対応するため、逆極性保護やバッテリー管理、ハイサイドロードスイッチング、LED照明といった用途に適している。パッケージは、5.13×6.15mmでガルウィングリード付きのSO-8Lを採用した。