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過電圧防止機能搭載のMOSFETゲートドライバIC：東芝 TCK42xGシリーズ
東芝デバイス＆ストレージは、外部NチャンネルMOSFETのバックトゥバック接続に対応したMOSFETゲートドライバIC「TCK42xG」シリーズ第1弾として、20V電源ライン向け「TCK421G」の出荷を開始した。
東芝デバイス＆ストレージは2022年2月、外部NチャンネルMOSFETのバックトゥバック接続に対応した、MOSFETゲートドライバIC「TCK42xG」シリーズを発表した。第1弾として、20V電源ライン向け「TCK421G」の出荷を開始している。大きさ1.2×0.8mmのWCSP6Gパッケージで提供し、ウェアラブル端末、スマートフォン、ノートPC、タブレットデバイス、ストレージ機器に適する。
外付けNチャンネルMOSFETと組み合わせ可能
TCK42xGシリーズは、チャージポンプ回路を内蔵し、過電圧防止機能により、入力電圧に応じて外付けMOSFETのゲート電圧を制御できる。今後、全6品種をラインアップし、過電圧保護は5〜24Vに対応する予定だ。
外付けMOSFETのゲートソース間電圧に対応するため、ゲート出力電圧は5.6Vまたは10Vとする。ユーザーは用途に応じて、過電圧保護機能、ゲート出力電圧を選べる。
TCK421Gの入力電圧は2.7〜28V、5V時のスタンバイ電流は−40〜＋85℃の範囲で最大0.5μA。外付けNチャンネルMOSFETと組み合わせることで、逆流防止機能を備えたロードスイッチ回路やパワーマルチプレクサ回路に適用できる。外付けMOSFETに対して間欠動作で安定した電圧を供給することで、大電流のスイッチングを可能にする。
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