EV充電向けのSiC MOSFETモジュール：オンセミ NXH010P120MNF1、NXH006P120MNF2

オン・セミコンダクターは、EV充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。プレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧に対応する。

[EDN Japan]

　オン・セミコンダクターは2021年6月、EV（電気自動車）充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。単価は、NXH010P120MNF1が約88.0米ドル、NXH006P120MNF2が約213.3米ドルとなる。

駆動電圧18〜20Vにより負のゲート電圧で動作

フルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」

　両製品ともプレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧により負のゲート電圧でも容易に動作する。トレンチ型に比べてチップが大きく、熱抵抗が小さいため、同じ動作温度でもチップの温度を下げられる。

　2パックのハーフブリッジ構成になっており、パッケージにはプレスフィットピンを採用した。また、温度のモニタリング用に、NTC（負の温度係数）サーミスタを搭載している。

　ドレインソース間オン抵抗は、NXH010P120MNF1が10mΩ、NXH006P120MNF2が6mΩ。外形サイズはそれぞれ、33.8×42.5mm、56.7×42.5mmとなっている。同社のデュアルチャンネル絶縁型IGBT、MOSFETゲートドライバなどと組み合わせることで、EV充電エコシステムに使用できる。