駆動電流4Aの絶縁型ゲートドライバ：STマイクロ STGAP2SiCS

STマイクロエレクトロニクスは、絶縁型ゲートドライバ「STGAP」ファミリーに、駆動電流4Aの「STGAP2SiCS」を追加した。6kVのガルバニック絶縁を内蔵し、最大1200Vの高電圧レールで動作する。

[EDN Japan]

STマイクロエレクトロニクスは2021年3月、絶縁型ゲートドライバ「STGAP」ファミリーに、駆動電流4Aの「STGAP2SiCS」を追加した。1000個購入時の単価は約2.00米ドルで、8mmの沿面距離を確保したワイドボディSO-8Wパッケージで提供する。

6kVのガルバニック絶縁を内蔵

　STGAP2SiCSは、入力とゲート駆動出力との間に6kVのガルバニック絶縁を内蔵し、最大1200Vの高電圧レールで動作する。ゲート駆動電圧は最大26V、減電圧ロックアウト（UVLO）のしきい値は15.5V。伝搬遅延は75ナノ秒以下で、正確なPWM制御を可能にする。また、スタンバイモードによりシステム全体の消費電力を削減し、貫通電流保護機能やサーマルシャットダウン機能も備える。

駆動電流4Aの絶縁型ゲートドライバ「STGAP2SiCS」

　2種類の設定が可能なため、高い柔軟性を持ち、BOMコストの削減に貢献する。個別出力ピンの設定では、専用のゲート抵抗を使用してターンオンおよびターンオフ時間を個別に最適化できる。出力ピン1つとミラークランプ機能で構成した設定では、不要なターンオンを防止する。入力回路は最小3.3VまでのCMOSまたはTTLロジックと互換性を有する。

　中パワー、高パワーのコンバーターや電源のほか、ハイエンド家電、産業用ドライバ、ファン、IH（誘導加熱器）、溶接機、UPS（無停電電源装置）などに搭載するインバーターでの利用を見込む。