低オン抵抗のNチャンネルTrenchFET MOSFET：ビシェイ SiJH600E、SiJH800E

ビシェイ・インターテクノロジーは、テレコムおよび産業向けに、低オン抵抗のNチャンネルTrenchFET MOSFET「SiJH600E」「SiJH800E」を発表した。電源、モーター駆動制御、バッテリー管理などの同期整流に適する。

[EDN Japan]

　ビシェイ・インターテクノロジーは2022年1月、テレコムおよび産業向けに、低オン抵抗のNチャンネルTrenchFET MOSFET「SiJH600E」「SiJH800E」を発表した。電源、モーター駆動制御、バッテリー管理、電動工具アプリケーションの同期整流に適している。サンプルおよび製品は既に入手可能だ。

低オン抵抗のNチャンネルTrenchFET MOSFET「SiJH600E」「SiJH800E」 出所：ビシェイ・インターテクノロジー

8.0×7.9×1.8mmの「PowerPAK 8x8L」パッケージ採用

　パッケージには、ボンドワイヤレス構造と機械ストレスの少ないガルウイングリードを採用した、8.0×7.9×1.8mmサイズの「PowerPAK 8x8L」を使用する。D²PAK製品と比べて、大きさを60％、厚みを57％削減している。

　SiJH600EとSiJH800Eのオン抵抗はそれぞれ、0.65mΩ、1.22mΩとし、通電時の電力損失を抑えて消費電力の削減に貢献する。同世代の「PowerPAK SO-8」デバイスと比べると、それぞれ54％、52％低い値だ。

　SiJH600Eのドレインソース間電圧は60Vで、連続ドレイン電流は373A、SiJH800Eのドレインソース間電圧は80Vで、連続ドレイン電流は288A。いずれも動作温度は＋175℃まで対応する。